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雷蒙磨和球磨机的区别

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全自动智能化环保节能立式磨粉机已经新鲜出炉啦!

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碳化硅工艺设备

  • 碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,衬底切片设备加速

    2023年4月26日  目前国内碳化硅切割设备主 流为金刚线切割设备,主要集中于高测股份、上机数控、连城数控、宇 晶股份等国内企业;激光切割设备目前试产份额较小,主要集中于德龙 激光、大族激光等国内企业。

  • 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布,有哪些工艺设备?有多难做

    2020年10月21日  碳化硅材料整线关键工艺设备共22种,下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状,和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状

  • 国内碳化硅(SiC)长晶炉供应商10强 艾邦半导体网

    2024年7月5日  目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型,一是专业晶体生长设备供应商,二是碳化硅衬底厂商(采用自研/自产设备的模式),在两者共同推动下,基本实现了设备国产化。 主要设备企业有: 北方华创科技集团股份有限公司 () https://naura/ 北方华创科技集团股份有限公司成立于2001年9月,2010年在深

  • 产业加速扩张之下,碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

    2022年12月15日  除碳化硅长晶炉设备外,被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备,成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。 今年11月,上机数控在官微表示,公司在碳化硅切割领域取得了较大突破,自行研发的碳化硅切片设备获得成功,开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。 截至目前订单量已接近150

  • 碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关

    2023年9月27日  SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求,主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。

  • 一文了解碳化硅(SiC)器件制造工艺 ROHM技术社区

    2022年12月1日  目前,常用的碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃的Ar氛围中进行,以使SiC表面再结晶并激活掺杂剂,提高掺杂区域的导电特性。 在退火之前,可以在晶圆表面涂敷一层碳膜作为保护层,减小Si脱附和表面原子迁移导致的表面退化(如图7所

  • 碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份

    2024年3月12日  碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份有限公司 致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服务的综合解决方案 UKING 了解详情 联系我们 ABOUT U KING 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸(6英寸及以上)导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司经

  • 重磅丨晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备

    2023年2月4日  碳化硅器件具有耐高温、耐高压、转化效率高等优点,但高硬脆、低断裂韧性对生产工艺有着极其苛刻的要求,大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。

  • 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023

    2023年2月26日  高可靠性几大优势,契合三代半导体封装需求,纳米银烧结设备成为碳化硅封装 固化工艺的最核心设备,截至2022 年未实现国产化。根据我们测算,预计2025 年国内纳米银烧结设备市场规模为30 亿元。受益标的:(1)宇环数控:国内稀

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  • 国内碳化硅(SiC)长晶炉供应商10强 艾邦半导体网

    2024年7月5日  目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型,一是专业晶体生长设备供应商,二是碳化硅衬底厂商(采用自研/自产设备的模式),在两者共同推动下,基本实现了设备国产化。 主要设备企业有: 北方华创科技集团股份有限公司 () https://naura/ 北方华创科技集团股份有限公司成立于2001年9月,2010年在深

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    2022年12月15日  除碳化硅长晶炉设备外,被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备,成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。 今年11月,上机数控在官微表示,公司在碳化硅切割领域取得了较大突破,自行研发的碳化硅切片设备获得成功,开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。 截至目前订单量已接近150

  • 碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关

    2023年9月27日  SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求,主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。

  • 一文了解碳化硅(SiC)器件制造工艺 ROHM技术社区

    2022年12月1日  目前,常用的碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃的Ar氛围中进行,以使SiC表面再结晶并激活掺杂剂,提高掺杂区域的导电特性。 在退火之前,可以在晶圆表面涂敷一层碳膜作为保护层,减小Si脱附和表面原子迁移导致的表面退化(如图7所

  • 碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份

    2024年3月12日  碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份有限公司 致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服务的综合解决方案 UKING 了解详情 联系我们 ABOUT U KING 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸(6英寸及以上)导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司经

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    2023年2月4日  碳化硅器件具有耐高温、耐高压、转化效率高等优点,但高硬脆、低断裂韧性对生产工艺有着极其苛刻的要求,大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。

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    2023年2月26日  高可靠性几大优势,契合三代半导体封装需求,纳米银烧结设备成为碳化硅封装 固化工艺的最核心设备,截至2022 年未实现国产化。根据我们测算,预计2025 年国内纳米银烧结设备市场规模为30 亿元。受益标的:(1)宇环数控:国内稀

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    2024年7月5日  目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型,一是专业晶体生长设备供应商,二是碳化硅衬底厂商(采用自研/自产设备的模式),在两者共同推动下,基本实现了设备国产化。 主要设备企业有: 北方华创科技集团股份有限公司 () https://naura/ 北方华创科技集团股份有限公司成立于2001年9月,2010年在深

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    2022年12月15日  除碳化硅长晶炉设备外,被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备,成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。 今年11月,上机数控在官微表示,公司在碳化硅切割领域取得了较大突破,自行研发的碳化硅切片设备获得成功,开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。 截至目前订单量已接近150

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    2023年9月27日  SiC晶圆制造特定工艺带来特定设备的需求,主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。

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    2022年12月1日  目前,常用的碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃的Ar氛围中进行,以使SiC表面再结晶并激活掺杂剂,提高掺杂区域的导电特性。 在退火之前,可以在晶圆表面涂敷一层碳膜作为保护层,减小Si脱附和表面原子迁移导致的表面退化(如图7所

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    2024年3月12日  碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份有限公司 致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服务的综合解决方案 UKING 了解详情 联系我们 ABOUT U KING 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸(6英寸及以上)导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司经

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    2023年2月4日  碳化硅器件具有耐高温、耐高压、转化效率高等优点,但高硬脆、低断裂韧性对生产工艺有着极其苛刻的要求,大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。

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    2023年2月26日  高可靠性几大优势,契合三代半导体封装需求,纳米银烧结设备成为碳化硅封装 固化工艺的最核心设备,截至2022 年未实现国产化。根据我们测算,预计2025 年国内纳米银烧结设备市场规模为30 亿元。受益标的:(1)宇环数控:国内稀